
编者按
“面向世界科技前沿、面向国家重大需求,面向国民经济主战场”是新时期中国科学院办院方针的重要内涵。为推动我院科学技术研究面向国家地方需求、经济社会发展,进一步鼓励在服务国民经济、社会发展、社会公益等科技创新活动中作出重要贡献的集体,自?2014?年起,中国科学院设立了“中国科学院科技促进发展奖”。2020?年度共?9?个团队荣获该奖。本刊特开设“中国科学院科技促进发展奖”栏目,分期介绍相关团队及成果,号召广大科技人员向获奖者学习,求真务实,勇于创新,服务国家,造福人民,用更多有效的中高端科技供给,为实施创新驱动发展战略作出更大的贡献。
碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化
推荐单位:
中国科学院物理研究所
完成单位:
中国科学院物理研究所
合作单位:
北京天科合达半导体股份有限公司
中国科学院物理研究所
成果简介
碳化硅(SiC)晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料,在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。但其晶体生长极其困难,只有少数发达国家掌握?SiC?晶体生长和加工技术。SiC?晶体国产化,对避免我国宽禁带半导体产业被“卡脖子”至关重要。团队自?1999?年以来,立足自主研发,从基础研究到应用研究,突破了生长设备到高质量?SiC?晶体生长和加工等关键技术,形成了具有自主知识产权的完整技术路线,实现了?SiC?晶体国产化、产业化,产生了良好的经济和社会效益,推动了我国宽禁带半导体产业的发展。
北京天科合达半导体股份有限公司
SiC 单晶生长车间
SiC 晶圆的研发历程
获得的专利和主持制定的标准
代表性用户
2 — 6 英寸碳化硅单晶衬底
社会效益&经济效益
形成了完整的自主知识产权,获授权发明专利?27?项(含?6?项国外专利),主持制定国家标准?3?项。成立了国内首家?SiC?晶体公司北京天科合达半导体股份有限公司,2019?年新增销售收入?1.55?亿元,新增利润?2?596?万元。北京天科合达半导体股份有限公司已发展成为国际知名?SiC?单晶衬底生产商之一,引领和推动了我国宽禁带半导体行业研究和产业链的发展。
获奖团队成员
陈小龙
中国科学院物理研究所
主要贡献:团队负责人,发明核心关键技术,组织技术研发与产业化。
王文军
中国科学院物理研究所
主要贡献:晶体生长与物性研究。
王 刚
中国科学院物理研究所
主要贡献:晶体生长与物性研究。
郭丽伟
中国科学院物理研究所
主要贡献:晶体生长与物性研究。
金士锋
中国科学院物理研究所
主要贡献:晶体加工与表征研究。
郭建刚
中国科学院物理研究所
主要贡献:晶体加工与表征研究。
许燕萍
中国科学院物理研究所
主要贡献:晶体加工与表征研究。
彭同华
北京天科合达半导体股份有限公司
主要贡献:晶体生长与产业化。
刘春俊
北京天科合达半导体股份有限公司
主要贡献:晶体生长与产业化。
杨 建
北京天科合达半导体股份有限公司
主要贡献:晶体产业化推广。
文章源自:碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化.中国科学院院刊,2021,36(7):848-849.
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